陶瓷具有怎樣的微觀結(jié)構(gòu)多晶陶瓷材料的微觀結(jié)構(gòu)如圖1所示，是復(fù)雜的結(jié)構(gòu)體，然而在單晶中卻不存在晶界此外，由于空隙、缺陷、副成分相的存在，而賦于材料以多種特性以往將這些晶界及副成分相等看作是有害因素，盡量將其排除，最大限度地使材料接近單晶但自從知道了將晶界和表面從積極方面加以利用，便可獲得新的功能后，反而將其充分利用，促進(jìn)了功能陶瓷的開發(fā)現(xiàn)將圖1的晶界部位進(jìn)行簡要說明因為晶界附近的能量高，所以，通常雜質(zhì)聚集于晶界這時，雜質(zhì)或在晶粒之間形成第二相乃至第三相，或偏析于晶界根據(jù)雜質(zhì)和添加物的多少，微觀結(jié)構(gòu)由圖1的a向b移動但這時晶界的形狀、晶粒的形狀隨物質(zhì)、成分和燒結(jié)方面而變化例如，在氧化鋁中，雖然以al2o3-mgo系為原料組成進(jìn)行燒結(jié)的，但這時mgo在晶界偏析而抑制al2o3晶粒成長，所以獲得了如圖2（a）所示的燒結(jié)組織，氣孔被排除它作為透光性氧化鋁，可以用作鈉燈的外套管圖2（b）所示是晶粒異常成長之一例它雖然也可作為氧化鋁陶瓷之一，但卻是由于雜質(zhì)介入和原料顆粒直徑變化而產(chǎn)生的物質(zhì)晶粒的尺寸從強(qiáng)度方面來看也是重要的，通常，材料的強(qiáng)度由下式表示式中，γt——破壞能；e——彈性模量；c——開裂長度的二分之一；y——幾何常數(shù)該式中的c，相當(dāng)于直接影響強(qiáng)度的最大開裂的長度。
當(dāng)然，晶粒直徑、氣孔直徑也包括在內(nèi)，而且最大直徑與其對應(yīng)因而，異常晶粒的存在也會使強(qiáng)度降低，即使平均粒徑大，也會導(dǎo)致強(qiáng)度的下降在前述氧化鋁陶瓷情況下，為了確保強(qiáng)度，晶粒的直徑最好是小一些上式的分子相當(dāng)于斷裂韌性值kic將作為機(jī)械材料而引人注目的氮化硅陶瓷那樣的晶粒形狀長柱化，從而提高kic值也是可行的（圖3）。
晶界的存在對電子陶瓷也極為重要氧化鋅（zno）非線性電阻和ptc陶瓷、bl電容囂等就是利用了晶界的陶瓷另外，利用其表面的多孔質(zhì)陶瓷，除作為催化劑載體而廣泛使用外，作為氣敏元件、濕敏元件使用也是重要的。
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